常見問題
FAQ



單排結(jié)構(gòu)
雙排結(jié)構(gòu)

優(yōu)勢
  • ITO電極結(jié)構(gòu)簡單，可以手動刻蝕
  • 旋涂工藝只需擦除一側(cè)的活性層
  • 可以使用簡單的3M夾進(jìn)行測試
  • 整體尺寸比較小，常見15x15mm
  • 上下電極十字交叉，可以精準(zhǔn)控制重疊面積，無需光掩模
  • 頂電極底部可做ITO孤島增加電極可靠度，即使長期用探針在同一位置也能保持良好的電接觸
  • 雙排結(jié)構(gòu)可以增加單片樣品中電池的總數(shù)量
  • 較容易實現(xiàn)蓋片封裝
劣勢
  • 上下電極重疊面積會存在批次誤差
  • 頂電極探針接觸下方?jīng)]有ITO，多次使用容易造成接觸不良
  • ITO電極結(jié)構(gòu)比較復(fù)雜，需要定制
  • 旋涂工藝需要擦除多側(cè)的活性層，避空探針電極位置，制備步驟略復(fù)雜
  • 無法使用3M夾測試，需使用探針夾具
單排結(jié)構(gòu)
不同樣品的有效面積會有一定的差異，用光掩模可以通過約束照射面，減少樣品的差異因素。
光掩模的好處是可以保證每個樣品的受光區(qū)域相同，但是受光面區(qū)域并不一定精確的等于光掩模開口面積，這是因為光源的光線不是絕對平行的，掩模和活性層之間有1~2mm玻璃厚度的距離。

雙排結(jié)構(gòu)：3x3 mm
(方案一：兩側(cè)電極)

雙排結(jié)構(gòu)：3x3 mm
(方案二：四周電極)